FDS6675BZ

FDS6675BZ. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. Markering van de fabrikant: Uitgebreid VGS-bereik (-25V) voor toepassingen op batterijen. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 06:25.