N-kanaaltransistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS6690A

N-kanaaltransistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS6690A. N-kanaaltransistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 9.8m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1205pF. Kosten): 290pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 24 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: logische niveauregeling. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 13:25.