P-kanaaltransistor, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS6679AZ

P-kanaaltransistor, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS6679AZ. P-kanaaltransistor, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2890pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID s (min): n/a. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 210 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/04/2025, 17:25.