STH8NA60FI

STH8NA60FI. C(inch): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: snelle MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: H8NA60FI. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Verbeteringsmodus . Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Viso 4000V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.