STF11NM60ND

STF11NM60ND. C(inch): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 11NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 03:25.