STP100N8F6

STP100N8F6. C(inch): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 38 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: 100N8F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 103 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 80V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 05:25.