Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.57€ |
5 - 9 | 1.24€ | 1.50€ |
10 - 24 | 1.17€ | 1.42€ |
25 - 49 | 1.11€ | 1.34€ |
50 - 59 | 1.08€ | 1.31€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.57€ |
5 - 9 | 1.24€ | 1.50€ |
10 - 24 | 1.17€ | 1.42€ |
25 - 49 | 1.11€ | 1.34€ |
50 - 59 | 1.08€ | 1.31€ |
SI4800BDY-T1-E3. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4800B. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0155 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, krachtige MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.