SI9407BDY

SI9407BDY. C(inch): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. ID s (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.