SI4840BDY

SI4840BDY. C(inch): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0074 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.