FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, -20V, JFET, TO-92, 20V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Behuizing (JEDEC-standaard): JFET. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 20V. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3820. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Componentfamilie: P-kanaal JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 8V

P-kanaaltransistor, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. ID (T=25°C): 6mA. Idss (max): 6mA. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Aantal per doos: 1. Functie: P-FET S. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-3P, -160V, -8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Afvoerbronspanning Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J119. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1050pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS (F). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 1040pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 205 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Enhancement Mode Low Drain-Bron On Resistance . Id(imp): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 100uA. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 720pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde beschermingsdiode. Id(imp): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 23W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 7 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Technologie: P-kanaal MOS-veldeffecttransistor. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 500mA. Idss (max): 500mA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 120pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: complementaire transistor (paar) 2SK216. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO POWER MOSFET. ID s (min): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Spec info: complementaire transistor (paar) ALF08N20V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 933pF. Kosten): 108pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 21 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID s (min): 1uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 5.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Spec info: Bedieningspoortspanning zo laag als 2,5 V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2060pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 7.4A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.7W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4407A. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2330pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: FET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 10.5A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 49.5 ns. Td(aan): 12.8 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: N-P. Functie: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal per doos: 2. Technologie: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

P-kanaaltransistor, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 5uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 4360pF. Kosten): 1050pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 39.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Binnendiameter (T=100°C): 65A. ID s (min): 0.01uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 51 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 920pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 21.4 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID s (min): 0.003uA. Markering op de kast: D405. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 24.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: complementaire transistor (paar) AOD408. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 5uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 2977pF. Kosten): 241pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID s (min): 0.003uA. Markering op de kast: D409. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 32m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), DFN8, -30V, -36A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: DFN8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: 7401. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2060pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 25uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 35V. C(inch): 990pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: snel schakelen, DC/DC-converter. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 1440pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 43 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 45 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 10A, 250uA, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET . Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Bedrijfstemperatuur: -55°C...+150°C. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -45V, -0.09A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MX. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 25pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500nA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 45V. C(inch): 60pF. Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. ID s (min): -0.23A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.7W. Aan-weerstand Rds Aan: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP171P. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 276 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -30V, -3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP250.115. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 80 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 140 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 250pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C