NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 0.3us

NPN-transistor, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-39, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-39. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N1893. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 70 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 25pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Let op: complementaire transistor (paar) 2N2907A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-18. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( BULK Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Conditioneringseenheid: 5000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: Versterkertransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Markering op de kast: 2N2222A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 25 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Weerstand B: ja. BE-diode: NPN-transistor. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-18. Kosten): TO-18. CE-diode: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 500 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-39. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3019. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 60V, 15A, TO-3. Collector-emitterspanning VCEO: 60V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 115W

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Functie: Audioversterker lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: planaire technologie op epitaxiale basis . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ2955. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Functie: Audioversterker lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: planaire technologie op epitaxiale basis . Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ2955. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ2955. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3055G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 115W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: S/VID. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire NPN-transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 450V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: S/VID. Productiedatum: 2014/06. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 117W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 117W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Collectorstroom: 30A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.2 MHz. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: NINCS. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3772. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200kHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.2 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.2 MHz. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 4 v. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3773G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 140V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor