IGBT-modules

Kanaaltype: N. Functie: 6 x IGBT For Power Management. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 8A. Let op: driefasige AC-motorbestuurder. Frequentie: 20kHz. Aantal aansluitingen: 24. Pd (vermogensdissipatie, max.): 21.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 685 ns. Td(aan): 605 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+100°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G60T120. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 60A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 50 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 480 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 375W. Maximale collectorstroom (A): 150A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Behuizing (JEDEC-standaard): NINCS

C(inch): 1800pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Markering op de kast: H30MR5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 330 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): PG-TO247-3. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.55V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.1V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.4V. Functie: Inductief koken, magnetrons. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 825pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Collectorstroom: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Markering op de kast: GB14C40L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8.3 ns. Td(aan): 1.35 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 1.3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2.2V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: > 6KV ESD Gate Protection. Let op: geïntegreerde weerstanden R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Conditioneringseenheid: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: ja

C(inch): 3025pF. Kosten): 245pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 145 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AD ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 760pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Collectorstroom: 480A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1630W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 226 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Poort-/emitterspanning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 9830pF. Kosten): 570pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Hoge snelheid IGBT voor 20-50 kHz schakelen. Collectorstroom: 310A. Ic(puls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Markering op de kast: IXYK140N90C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1630W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 145 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.15V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 900V. Poort-/emitterspanning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1600pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Functie: 3 CH. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Aantal aansluitingen: 17. Afmetingen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Gewicht: 170g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 400 ns. Td(aan): 70 ns. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2870pF. Kosten): 295pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Collectorstroom: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Markering op de kast: GW20NC60KD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 164 ns. Td(aan): 46 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 8000pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 74 ns. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: GW60V60DF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 216 ns. Td(aan): 57 ns. Behuizing: TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS