PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. FT: 8 MHz. Functie: S-L. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 60. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V

NPN-transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V

NPN-transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-39. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2905A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: versterker, schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V

NPN-transistor, 0.6A, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Let op: >40. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-18. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N2907A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: VHF-versterker

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Hfe 100. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 0.8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF-S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Si-epitaxiale planairetransistor. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N3906. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39 ( TO-5 ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Kosten): 20pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150...500 MHz. Functie: S. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo Pack. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 30pF. Kosten): 8.5pF. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 30 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.75V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. C(inch): 30pF. Kosten): 8.5pF. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 30 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, -50V, -50mA, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -50V. Collectorstroom: -50mA. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Maximale frequentie: 40 MHz. Toepassingen: Audio

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 250. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 3V. Functie: voorversterker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N5401. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. C(inch): 75pF. Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. C(inch): 75pF. Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: High Speed ​​Switching en lineaire versterker. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 50A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N5886

NPN-transistor, 7A, 60V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Let op: hFE 20. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: TO-220AB

NPN-transistor, 2A, 225V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 225V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Type transistor: PNP. Vcbo: 275V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6287G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-66. Behuizing (volgens datablad): TO-66. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 15. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6488