N-P MOSFET-transistorpaar

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Markering op de kast: 4502C. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 28/35m Ohms. RoHS: ja. Spec info: vervanger voor MOSFET. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SOP-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Type transistor: MOSFET. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Idss: 1...5uA. Let op: IDM--30Ap & 30Ap. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16.2/4.8 ns. Td(aan): 6.4 ns. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: MOSFET-transistor, Rds (AAN) erg laag. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Complementaire MOSFET-transistoren, N-kanaal en P-kanaal. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Markering op de kast: P605. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.8W. RoHS: ja. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Complementaire verbeteringsmodus FET. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.8W. RoHS: ja. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Markering op de kast: 4501GM. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Let op: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Let op: ID(AV)--N--9A P--8A. Let op: Vdss 30V (N), -30V (P). Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Let op: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: DIP-8. Behuizing: DIP

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 4. Functie: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Let op: Vds 30V & 30V. Let op: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Let op: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Enhancement Mode DUAL MOSFET (N- en P-kanaal) . Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DIP-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Let op: zeefdruk/SMD-code KNP. Markering op de kast: KNP. Aantal aansluitingen: 6. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Complementaire paarverbeteringsmodus MOSFET. Behuizing: SOT-363 ( SC-88 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-363

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Let op: zeefdruk/SMD-code 420. Markering op de kast: 420. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Spec info: N-kanaaltransistor (Q1), P-kanaaltransistor (Q2). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8

Transistor MOSFET. C(inch): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N-P. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). G-S-bescherming: NINCS. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8