N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 21.9A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N65C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2930pF. Kosten): 1150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 2N03L04. Pd (vermogensdissipatie, max.): 188W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-251AA, 50V, 14A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251AA. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFD14N05L. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 670pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, 50V, 14A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F14N05. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 670pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 850pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: diode. Markering op de kast: F3055L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET . Aantal per doos: 1. Functie: logische niveauregeling, ESD-bescherming

N-kanaaltransistor, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 900pF. Kosten): 325pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 30A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: F12N10L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: MegaFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 53W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET . Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 11A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFP3055LE. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 38W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.022 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. Behuizing (JEDEC-standaard): 50. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFP50N06. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 37 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2020pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 131W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 37 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 60V, 70A, TO-220, TO-220, 60V, 50. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Behuizing (JEDEC-standaard): 50. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: RFP70N06. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2250pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 10 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Temperatuurgecompenseerd PSPICE®-model

N-kanaaltransistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Collector-emitterspanning Vceo: 330V. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 250A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 20 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Collector-emitterspanning Vceo: 330V. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 250A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 20 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diode: ja

N-kanaaltransistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PSG. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. C(inch): 1200pF. Kosten): 80pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Compatibiliteit: Samsung PS42C450B1WXXU. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Collectorstroom: 35A. Ic(puls): 250A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 0.06 ns. Td(aan): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 178W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30

N-kanaaltransistor, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 40A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor. Aantal per doos: 1. Functie: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

N-kanaaltransistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Collector-emitterspanning Vceo: 360V. C(inch): 85pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: N. Functie: IGBT. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 250A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 90 ns. Td(aan): 40 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 115mA. Idss (max): 115mA. Aan-weerstand Rds Aan: 7.5 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 25pF. Kosten): 10pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Interface en schakelen. Id(imp): 0.8A. Markering op de kast: RKM. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 2.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.074 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TSMT3. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N-Ch MOS FET. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code QY. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters

N-kanaaltransistor, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 45V. C(inch): 1830pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Markering op de kast: TB. Aantal aansluitingen: 8:1. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 78 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: 4V-aangedreven N-ch MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters, omvormers. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0125 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 4V-aangedreven N-ch MOSFET. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 20A, 20A, TO-247, TO-247. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Functie: N MOSFET-transistor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1970pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 50 ns. Functie: Hoge snelheid IGBT. Collectorstroom: 48A. Ic(puls): 90A. Markering op de kast: G30N60RUFD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 235W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 550pF. Kosten): 62pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 40A. Markering op de kast: G10N60A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 92W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 178 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Functie: Motorbedieningen, omvormer. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. RoHS: ja. C(inch): 1250pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 3. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 52A. Markering op de kast: G15N120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 198W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 580 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Functie: Motorbesturingen, omvormer, SMPS. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. RoHS: ja. C(inch): 1600pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 3. Collectorstroom: 41A. Ic(puls): 112A. Markering op de kast: G30N60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 291 ns. Td(aan): 44 ns. Technologie: Snelle IGBT in NPT-technologie. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Functie: Motorbedieningen, omvormer. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS