N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (max): 1.4A. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: FET. Functie: 0505-111646. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD 5p.. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code QU

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 76 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 780pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 272 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 28nC, lage Crss 24pF. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1160pF. Kosten): 134pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 360ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: MDF9N60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 6uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 62V. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: Auto-elektronica. ID s (min): 0.6uA. Markering op de kast: L2N06CL. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 5us. Td(aan): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MMBF170. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 40pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6K. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 9mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 4.5pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: Uni sym. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 61 S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: JFET-transistor voor algemeen gebruik. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 3.5V. Poort/bronspanning (uit) max.: 7V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 61S. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 1mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Type transistor: JFET. ID s (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Markering op de kast: 62 P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 62P. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 30mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 25V. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Type transistor: FET. Functie: VHF/UHF-versterker, oscillator en mixer. ID s (min): 12mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 6U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 6U. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 60mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 25V. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Type transistor: FET. Functie: VHF/UHF-versterker, oscillator en mixer. ID s (min): 24mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 6T. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD code 6T. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6T. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 890pF. Kosten): 670pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 375 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PFC-voedingstrappen, schakeltoepassingen, motorbesturing, DC/DC-converters. Id(imp): 33A. Markering op de kast: 60R360P. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.22A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: JD. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 410pF. Kosten): 114pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 55.7 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Logische niveau-gated transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AE, 100V, 45A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AE. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MTW45N10E. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 50 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-264, 100V, 100A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MTY100N10E. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 96 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 372 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 10640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 75A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 2960pF. Kosten): 1130pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDS355AN_NL. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 195pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xV-MOS. Aantal per doos: 2

N-kanaaltransistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.1m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): MP-25ZP. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 6400pF. Kosten): 465pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 82N055. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 142W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 72 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 900. Spec info: MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS