N-kanaaltransistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY

N-kanaaltransistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY. N-kanaaltransistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0074 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 18:25.