N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.039 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 707pF. Kosten): 224pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 20N6LG. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 9.6 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N06LG. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 990pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.084 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Functie: ID pulse 45A/10us. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 55094G

N-kanaaltransistor, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.122 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Functie: ID pulse 27A/10us. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 3150G

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.089 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Power MOSFET. Let op: 55L104G. Functie: logisch niveau, ID-puls 45A/10us. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.089 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 316pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: logisch niveau, ID-puls 45A/10us. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 55L104G. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 55L104G. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.4M Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 4490pF. Kosten): 952pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 34 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4804NG. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.1A, 25uA, TSOP, TSOP-6, 20V, 0.036 Ohms. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 25uA. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): TSOP-6. Spanning Vds(max): 20V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. C(inch): 510pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 446. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Aantal aansluitingen: 6. Functie: toepassingen voor lithium-ionbatterijen, notebook-pc. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 4416pF. Kosten): 296pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 503W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 40 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Functie: UPS, DC/DC-converter, boost-omvormer. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. Markering op de kast: 4744N. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 47W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Functie: ID pulse 108A/10ms. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4744N

N-kanaaltransistor, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (max): 191A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3M Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. Markering op de kast: 4833N. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 114W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Functie: ID pulse 288A/10ms. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4833N

N-kanaaltransistor, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Aan-weerstand Rds Aan: 2.9m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8FL. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. Markering op de kast: 4835N. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 63W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Power MOSFET. Functie: ID pulse 208A/10ms. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 4835N

N-kanaaltransistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.03 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 790pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbetering van logisch niveau. Id(imp): 40A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11.8 ns. Td(aan): 2.2 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms. ID (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (max): 30A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. C(inch): 860pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (max): 50A. Aan-weerstand Rds Aan: 5.1M Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-263 (D2PAK). C(inch): 2780pF. Kosten): 641pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 34 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 59.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (max): 50A. Aan-weerstand Rds Aan: 15m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 1200pF. Kosten): 600pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 150A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (max): 75A. Aan-weerstand Rds Aan: 5M Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 170A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 920pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Veldeffect-vermogenstransistor, Logische niveauregeling. Id(imp): 180A. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 86W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 78 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 45A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 25V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Veldeffect-vermogenstransistor, Logische niveauregeling. Id(imp): 180A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 86W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: TrenchMOS transistor. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 8.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS SOT78

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: PMV213SN. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 13.9m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK (SOT404). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3195pF. Kosten): 221pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: standaard schakelen. Id(imp): 272A. ID s (min): 0.06uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52.5 ns. Td(aan): 20.7 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 12m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 4900pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 240A. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 36A, 50A, 500uA, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V, 30 milliOhms. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Spanning Vds(max): 150V. Aan-weerstand Rds Aan: 30 milliOhms. C(inch): 4720pF. Kosten): 456pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 118 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 200A. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 79 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-bescherming: NINCS