N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3-1. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 21.9A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220 (PG-TO220FP). Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 07N60C3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 790pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 32W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 24A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: 08N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: geïsoleerde behuizing (2500VAC, 1 min). Id(imp): 33A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 11N65C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3-1. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 33A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 11N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 41W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 560V. C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 16N50C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 32A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.4M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 195 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeteringsmodus . Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N04H4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 46 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 560V. C(inch): 750pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Id(imp): 22.8A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 08N50C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.093 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. Id(imp): 37A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: SPD09N05. Pd (vermogensdissipatie, max.): 24W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 32 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 112A. Markering op de kast: 28N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 85m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 06N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 750 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . Productiedatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N60S5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 24A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: 08N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 10N10. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 426pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . Id(imp): 33A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 11N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1460pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 650ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 22A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: 11N60S5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 11A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Functie: ID pulse 33A. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: SPP17N80C2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 17N80C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 77 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): P-TO220-3-1. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 62.1A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 20N60C3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 67 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS