N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 560V. C(inch): 750pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 22.8A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 08N50C3. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.093 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. Id(imp): 37A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: SPD09N05. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 24W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 32 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Id(imp): 112A. Markering op de kast: 28N03L. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 85m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N80C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.78 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 18A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 06N80C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 750 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Productiedatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 07N60S5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: 08N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 104W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 10N10. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 426pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 33A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 11N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-3-1. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1460pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 22A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: 11N60S5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanaaltransistor, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 11A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . Id(imp): 51A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: SPP17N80C2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 51A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 17N80C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 77 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): P-TO220-3-1. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 62.1A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 20N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 67 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 650V. RoHS: ja. C(inch): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 20N60S5. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 55V, 80A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N06L11. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 68 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 158W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 04N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 33A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 11N80C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing: TO-247. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. C(inch): 2320pF. Kosten): 1250pF. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading . G-S-bescherming: ja. Id(imp): 51A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 17N80C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 77 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 650V, 20.7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20N60C3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 208W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV. Afvoerbronspanning (Vds): 600V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.19 Ohms. Behuizing: PG-TO247 HV. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 20A. Vermogen: 208W

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 540pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 28A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: ja. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P1. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C