N-kanaaltransistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY

N-kanaaltransistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY. N-kanaaltransistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 20uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 80V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 18:25.