N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4532CDY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 305/340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.14W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4559EY. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0155 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen, krachtige MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40Ap. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4800B. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V

N-kanaaltransistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0074 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4946BEY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4946EY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9410BDY-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9936BDY. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 550pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0075 Ohms. Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 985pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 14 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge kant schakelaar . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 196k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 90A, Ander, Ander, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 5000pF. Kosten): 720pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Functie: IGBT met hoog vermogen. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 150A. Let op: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Aantal aansluitingen: 7. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(uit): 450 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 330A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 23.1pF. Kosten): 1.9pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Functie: IGBT met hoog vermogen. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 470A. Ic(puls): 600A. Aantal aansluitingen: 7. Afmetingen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 650 ns. Td(aan): 330 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.15V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1100pF. Kosten): 107pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Functie: Snelle S-IGBT in NPT-technologie. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 80A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 179W. RoHS: ja. Spec info: K20N60. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 445 ns. Td(aan): 36ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1150pF. Kosten): 120pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 280 ns. Functie: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Collectorstroom: 46A. Ic(puls): 84A. Markering op de kast: K25N120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 313W. RoHS: ja. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 730 ns. Td(aan): 45 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3.1V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V

N-kanaaltransistor, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.041 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 8180pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verhoogde MOSFET dv/dt-robuustheid . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 267A. ID s (min): 5uA. Markering op de kast: 6R041P6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 481W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.017...0.025 Ohms. Markering op de kast: TB. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

N-kanaaltransistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3-1. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 13.5A. ID s (min): 0.5uA. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Markering op de kast: 04N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. RoHS: ja. Spec info: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58.5 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 21.9A. ID s (min): 0.5uA. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Markering op de kast: 07N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220 (PG-TO220FP). Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 07N60C3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 790pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 32W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.56 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreme dv/dt-waarde, hoge piekstroomcapaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. ID s (min): 20uA. Markering op de kast: 08N60C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: geïsoleerde behuizing (2500VAC, 1 min). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 33A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 11N65C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3-1. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 33A. ID s (min): 0.5uA. Markering op de kast: 11N80C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 41W. Spec info: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 560V. C(inch): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Uitzonderlijke dv/dt-mogelijkheden. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 48A. ID s (min): 0.1uA. Let op: Volledig geïsoleerd pakket (2500VAC /1 minuut). Markering op de kast: 16N50C3. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. RoHS: ja. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-kanaaltransistor, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 32A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor

N-kanaaltransistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor

N-kanaaltransistor, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.4M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 195 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeteringsmodus . G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 320A. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N04H4. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 46 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V