N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P4. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 235pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L6. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 305pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L8. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.66W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4410BDY. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (max): 13.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 50A. Markering op de kast: 4420AP. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 12V. C(inch): 12350pF. Kosten): 2775pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 84 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 70A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7.8W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 240 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Aantal per doos: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 20uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 80V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 40A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 20uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 80V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4532ADY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.13W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4532CDY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 305/340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.14W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4559EY. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0155 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 4800B. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 32 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen, krachtige MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0074 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 840pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Markering van de fabrikant: SI4946BEY-T1-E3

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4946EY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9410BDY-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9936BDY. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 550pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0075 Ohms. Behuizing: PowerPAK SO-8. Behuizing (volgens datablad): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 985pF. Kosten): 205pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 14 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge kant schakelaar . Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 196k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 29.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 90A, Ander, Ander, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 5000pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Functie: IGBT met hoog vermogen. Collectorstroom: 100A. Ic(puls): 150A. Aantal aansluitingen: 7. RoHS: ja. Td(uit): 450 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Let op: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 330A, Ander, Ander, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Behuizing: Ander. Behuizing (volgens datablad): Ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 23.1pF. Kosten): 1.9pF. Kanaaltype: N. Functie: IGBT met hoog vermogen. Collectorstroom: 470A. Ic(puls): 600A. Afmetingen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 650 ns. Td(aan): 330 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.15V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Aantal aansluitingen: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1100pF. Kosten): 107pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Functie: Snelle S-IGBT in NPT-technologie. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 80A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 179W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 445 ns. Td(aan): 36ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. CE-diode: ja

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1150pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 280 ns. Functie: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Collectorstroom: 46A. Ic(puls): 84A. Markering op de kast: K25N120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 313W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 730 ns. Td(aan): 45 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3.1V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. CE-diode: ja

N-kanaaltransistor, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.041 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 8180pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verhoogde MOSFET dv/dt-robuustheid . Id(imp): 267A. ID s (min): 5uA. Markering op de kast: 6R041P6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 481W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: N. Markering op de kast: TB. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.017...0.025 Ohms