N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L540NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220A. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220A. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 69W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 0.4 Ohms, TO-220, 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 200V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 9A. Vermogen: 74W

N-kanaaltransistor, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1800pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 310 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 68A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMD-220. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L640S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMD-220. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L640S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 0.0038 Ohms, TO-220, 30V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0038 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 30V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 150A. Vermogen: 140W

N-kanaaltransistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 740A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 21 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 10315pF. Kosten): 1980pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 39 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: DC-motoraandrijving, snelle stroomschakeling. Spec info: logische niveauregeling. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0065 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1077pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 9 ns. Td(aan): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UPS, DC/DC-omzetter. Id(imp): 620A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: UPS, DC/DC-omzetter. Id(imp): 620A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: SUPER-220. Behuizing (volgens datablad): SUPER220. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 740A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 21 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.005 Ohms. Behuizing: SUPER-220. Behuizing (volgens datablad): SUPER220. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 720A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 270W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, SUPER-220, 30 v, 179A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SUPER-220. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRLBA3803PPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 270W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 1.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 870pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Diversen: Dynamic dv/dt Rating. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Snel schakelende poortaandrijving op logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, DIP4, 60V, 2.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRLD024PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.042 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 740pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Versterkertoepassingen geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. Id(imp): 80A. ID s (min): 2uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 5.7 ns. Technologie: Digitale audio-HEXSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 93m Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 660pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 57 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Versterkertoepassingen geoptimaliseerd voor klasse-D-audio. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 60A. ID s (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 9.5 ns. Technologie: Digitale audio-HEXSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+170°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 55V, 2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL014N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 230pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 55V, 3.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FL024. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 18 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 510pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C