N-kanaaltransistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502

N-kanaaltransistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML2502. N-kanaaltransistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 740pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 33A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 54 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Origineel product van fabrikant International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 25/07/2025, 16:25.