N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 250pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 530pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 6.9ns. Td(aan): 7.4 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL2703. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 530pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL2703. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 530pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 55V, 3.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LL2705. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 20V, 1.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 2.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 110pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Binnendiameter (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 740pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 54 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1g. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 740pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 540mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9 ns. Td(aan): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: B. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 85pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 85pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 5V. C(inch): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 72A. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR024NPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 55V, DPAK. Vdss (afvoer naar bronspanning): 55V. Behuizing: DPAK. Productserie: HEXFET. Polariteit: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 17A. Poort-/bronspanning Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Poort-/bronspanning Vgs max: -16V. Max: 45W. Montagetype: SMD

N-kanaaltransistor, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.185 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 440pF. Kosten): 97pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 35A. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR120NTRPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23 ns. Td(aan): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 75. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Spec info: lage weerstand R-aan 0,040 Ohm. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.027 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRLR2905PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 110W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 11m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1570pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 22ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 240A. ID s (min): 20uA. Equivalenten: IRLR2905ZTRPBF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 24 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 34-51 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR3110ZPbF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: LR3410. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 97W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6.5m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 21ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 360A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 33 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.6m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2000. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 39 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: LR7843. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 34 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Functie: Zeer lage RDS (aan) bij 4,5 V VGS, ultralage poortimpedantie. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 6.3m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1030pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 260A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9.4 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Ultra-lage poortimpedantie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS