N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220 ( AB ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1100pF. Kosten): 73pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 42 ns. Functie: UltraFast CoPack IGBT. Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Markering op de kast: IRG4BC30UD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 91 ns. Td(aan): 40 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 980pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Functie: vermogens-MOSFET-transistor tot 150 kHz. Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Markering op de kast: IRG 4BC30W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 99 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 920pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Trr-diode (min.): 42 ns. Collectorstroom: 28A. Ic(puls): 58A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 160 ns. Td(aan): 60 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.21V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ultrasnelle IGBT-transistor. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1100pF. Kosten): 73pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Trr-diode (min.): 42 ns. Functie: ULTRA FAST. Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Markering op de kast: IRG4PC30UD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 91 ns. Td(aan): 40 ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2200pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Conditionering: TO-247AC. Conditioneringseenheid: PCB-doorvoermontage. Trr-diode (min.): 42 ns. Collectorstroom: 49A. Ic(puls): 84A. Markering op de kast: 230 ns. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 230 ns. Td(aan): 63 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ultrasnel, voor hoge werkfrequenties 8-40 kHz. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1600pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 42A. Ic(puls): 84A. Markering op de kast: G4PC40K. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 30 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). Functie: Ultrasnel, voor hoge werkfrequenties 8-40 kHz. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1600pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 42 ns. Collectorstroom: 42A. Ic(puls): 84A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 53 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ultrasnel, voor hoge werkfrequenties 8-40 kHz. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2100pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 160A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 34 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.72V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ultrasnel, voor hoge werkfrequenties 8-40 kHz. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1900pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 160A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 27 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.05V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 3700pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Collectorstroom: 55A. Ic(puls): 220A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 46 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.93V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 25. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 6050pF. Kanaaltype: N. Functie: Snelle snelheid IGBT . Collectorstroom: 90A. Ic(puls): 360A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 520W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 310 ns. Td(aan): 42 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Kosten): 360pF. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 1800pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Functie: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Collectorstroom: 41A. Ic(puls): 82A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 24 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.43V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.1V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. C(inch): 2800pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 45A. Ic(puls): 90A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 36ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.77V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 1220V. C(inch): 2800pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Trr-diode (min.): 90 ns. Collectorstroom: 45A. Ic(puls): 90A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 87 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.77V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 45A. Ic(puls): 180A. Markering op de kast: IRG4PH50U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 35 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.56V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(inch): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 850pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 92 ns. Collectorstroom: 31A. Ic(puls): 62A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 184 ns. Td(aan): 34 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 3025pF. Kosten): 245pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 90A. Ic(puls): 144A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 145 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. C(inch): 2250pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 70A. Ic(puls): 250A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 112 ns. Td(aan): 36ns. Bedrijfstemperatuur: -40...+140°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.29V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.57V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L1004S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 6590pF. Kosten): 1710pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 640A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 160A. Vermogen: 200W

N-kanaaltransistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.005 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Functie: Snel schakelende poortaandrijving op logisch niveau

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 40V, 140A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL1404ZPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5080pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 5080pF. Kosten): 970pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 790A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 3290pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS