Elektronische componenten en apparatuur, voor bedrijven en particulieren

N-kanaaltransistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803

N-kanaaltransistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Hoeveelheid excl. BTW incl. BTW
1 - 9 0.35€ 0.42€
10 - 24 0.33€ 0.40€
25 - 45 0.31€ 0.38€
Hoeveelheid U.P
1 - 9 0.35€ 0.42€
10 - 24 0.33€ 0.40€
25 - 45 0.31€ 0.38€
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Hoeveelheid in voorraad : 45
Set van 1

N-kanaaltransistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803. N-kanaaltransistor, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.025 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 540mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9 ns. Td(aan): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 05:25.

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Abonneer u op de nieuwsbrief

Ik ga akkoord met het ontvangen van e-mails en ik begrijp dat ik me na registratie op elk moment kan uitschrijven.

Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.