N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 zonder bevestigingsgat), 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.24 Ohms. Behuizing: PLUS247. Behuizing (volgens datablad): PLUS-247 (TO247 zonder bevestigingsgat). Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 7500pF. Kosten): 920pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 136A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 560W. RoHS: ja. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AD ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1500pF. Kosten): 170pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 130 ns. Functie: HiPerFAST IGBT with Diode. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 48A. Ic(puls): 80A. Let op: HiPerFAST IGBT-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 15 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V

N-kanaaltransistor, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2700pF. Kosten): 270pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 120ns. Functie: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V

N-kanaaltransistor, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 1960pF. Kosten): 220pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 25 ns. Functie: Hoge snelheid PT IGBT s voor 40-100 kHz schakelen. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 56A. Ic(puls): 230A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: Elektrisch geïsoleerd achteroppervlak. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 92 ns. Td(aan): 19 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 3900pF. Kosten): 280pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 35ns. Functie: C2-Class High Speed IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 300A. Let op: HiPerFAST IGBT-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 18 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V

N-kanaaltransistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2113pF. Kosten): 197pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: IGBT met ultrasnelle zachte hersteldiode. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 75A. Ic(puls): 260A. Let op: isolatie 2500V (50/60Hz RMS, t=1minuut). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 268W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 127 ns. Td(aan): 43 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

N-kanaaltransistor, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.092 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263AB ). Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AD, 500V, 24A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXTH24N50. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 80 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AD, 1 kV, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AD. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IXTH5N100A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 24m Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 4800pF. Kosten): 1020pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 160 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 225A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanaaltransistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 92m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 90A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 92 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 4000pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 130A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.066 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2500pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 240A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 176W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 2770pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 240A. ID s (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Binnendiameter (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 92m Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 2250pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 90A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 97 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 270 milliOhms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2890pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 480W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanaaltransistor, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Binnendiameter (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 40m Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 6300pF. Kosten): 950pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N-Channel Enhancement Mode. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 220A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 96 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

N-kanaaltransistor, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Aan-weerstand Rds Aan: 8 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 25V. C(inch): 160pF. Kosten): 35pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. G-S-bescherming: NINCS. ID s (min): 100mA. IGF: 50mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 5 ns. Td(aan): 6 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 0.7V. Poort/bronspanning (uit) max.: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.5V

N-kanaaltransistor, 30 Ohms, 35V. Aan-weerstand Rds Aan: 30 Ohms. Spanning Vds(max): 35V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: Up 10V. ID s (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Poort/bronspanning (uit) max.: 10V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (max): 5mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 Ammo-Pak. Spanning Vds(max): 35V. C(inch): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort/bronspanning (uit) max.: 5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V

N-kanaaltransistor, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Aan-weerstand Rds Aan: 100 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 35V. C(inch): 28pF. Kosten): 5pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. G-S-bescherming: NINCS. ID s (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 35V. Poort/bronspanning (uit) max.: 3V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.5V

N-kanaaltransistor, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (max): 1.4A. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: 0505-111646. Let op: zeefdruk/SMD-code QU. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD 5p.

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 76 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS, hogesnelheidsschakeling. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 48A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 49.6W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 132 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 780pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 272 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelaar, lage poortlading 28nC, lage Crss 24pF. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 36A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V