N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 3500pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 964ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbeterde ESD-mogelijkheden. Id(imp): 44A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W12NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 88 ns. Td(aan): 31 ns. Technologie: SuperMESH™ power MOSFET-transistor beschermd door zenerdiode. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Behuizing: TO-247. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 50mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 600V. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID s (min): 1mA. Markering op de kast: W13NK60Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 61 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Maximale afvoerstroom: 13A. Vermogen: 150W. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 50mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. ID s (min): 1mA. Markering op de kast: W14NK50Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT . G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 0.55 Ohms, TO-247, 900V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning (Vds): 900V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 15A. Vermogen: 350W

N-kanaaltransistor, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 100nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 68A. ID s (min): 10nA. Markering op de kast: 18NM80. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 500V. Behuizing (JEDEC-standaard): 30. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W20NK50Z. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 28 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, 500V, 20A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: W20NM50FD. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1380pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 214W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.26 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1450pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W20NM60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 214W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 6 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.135 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 26NM60N. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Gewicht: 4.51g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1440pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 80A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 28N65M2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 59 ns. Td(aan): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.62 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 2400pF. Kosten): 650pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PowerMESH™ MOSFET. Id(imp): 136A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W34NB20. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 17 ns. Td(aan): 30 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Schakelende voedingen SMPS, DC-AC-converters. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 35A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 255W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MDmesh II. Functie: Idm--140Ap(pulsed). Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 43NM60ND. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 255W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Lage poortingangsweerstand. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 508 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: W45NM60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 417W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 22.4A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 1000V. C(inch): 1154pF. Kosten): 106pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 605 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W5NK100Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51.5 ns. Td(aan): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W7NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 32A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W9NK90Z. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 15A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 37W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Aantal aansluitingen: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 30 v, 75A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SUP75N03-04. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 190 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 10742pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 187W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 41 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Voeding, DC/DC-converter. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-3FS. Collector-emitterspanning Vceo: 430V. C(inch): 5500pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Germaniumdiode: onderdrukker. Collectorstroom: 240A. Ic(puls): 240A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 46 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 33V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diversen: flitser, stroboscoopbediening. Technologie: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). CE-diode: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 80A. Markering op de kast: K20J50D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: Veldeffect POWER MOS-type (MOSVII). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 24A. Markering op de kast: K6A60D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 24A. ID s (min): 10uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS