N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 35A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Idm--140Ap(pulsed). Pd (vermogensdissipatie, max.): 255W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MDmesh II

N-kanaaltransistor, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Lage invoercapaciteit en poortlading. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 140A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 43NM60ND. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 255W. RoHS: ja. Spec info: Lage poortingangsweerstand. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 508 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 180A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: W45NM60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 417W. RoHS: ja. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 16 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1250pF. Kosten): 128pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 22.4A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 13 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.7 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 1000V. C(inch): 1154pF. Kosten): 106pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 605 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 14A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W5NK100Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51.5 ns. Td(aan): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.56 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: beschermd met Zener -diode. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 23.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W7NK90Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 32A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: W9NK90Z. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-kanaaltransistor, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 15A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 37W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 30 v, 75A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SUP75N03-04. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 190 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 10742pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 187W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 41 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Voeding, DC/DC-converter. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. RoHS: ja. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-3FS. Collector-emitterspanning Vceo: 430V. C(inch): 5500pF. Kosten): 100pF. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N. Diversen: flitser, stroboscoopbediening. Functie: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Germaniumdiode: onderdrukker. Collectorstroom: 240A. Ic(puls): 240A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 46 ns. Technologie: Enhancement type. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3.6V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 33V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V

N-kanaaltransistor, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 80A. Markering op de kast: K20J50D. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: Veldeffect POWER MOS-type (MOSVII). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. Markering op de kast: K6A60D. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 24A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanaaltransistor, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 230 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: voor schakelende spanningsregelaars. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 28A. Markering op de kast: TK7P60W. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V

N-kanaaltransistor, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10U1B. Spanning Vds(max): 650V. C(inch): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 30Ap. Markering op de kast: K8A65D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v

N-kanaaltransistor, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 0.3A. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 240V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Logisch niveau. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: 9.31k Ohms

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7150pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6435pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4456pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5022pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 56 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 78 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6253pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, 20V, -6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 0.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 562pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (max): 0.47A. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: V-MOS