N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 30 v, 100A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL2203NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2203NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2203NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2505S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3700pF. Kosten): 630pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 20V, 110A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL3502. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 20V, 110A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3502S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 94us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 37 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 55V, 89A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL3705N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 37 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 170W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3600pF

N-kanaaltransistor, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5890pF. Kosten): 3130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: zeer lage Rds. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zeer lage Rds-on-weerstand. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Technologie: SMPS MOSFET. Let op: UltraLow Gate

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 260A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3713S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5890pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 170W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 470A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, TO-220AB, 30 v, 140A, 0.006 Ohms, 30V. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 30V. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 140A. Vermogen: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 470A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 140A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3803S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK/7, 40V, 360A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/7. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 7. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 67 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 222 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 19680pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 416W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 35A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Technologie: V-MOS TO220A

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 10A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L520N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 17A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL530NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 79W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 1.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L530NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, 100V, 36A, 140W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Behuizing (JEDEC-standaard): 140W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL540N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C