FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F9Z34NS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 620pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 68W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 8.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.8A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 1.1A, DIP-4, -60V. Maximale afvoerstroom: 1.1A. Behuizing: DIP-4. Afvoerbronspanning (Vds): -60V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms

P-kanaaltransistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: FET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 13A. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, HD-1, -60V, -1.6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: HD-1. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9024PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 570pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 82 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 5.6A. Binnendiameter (T=100°C): 0.49A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Behuizing (JEDEC-standaard): 1.2 Ohms. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9110PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, DIP4, -100V, -1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DIP4. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9120PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 390pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (max): 0.56A. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 0.34A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, HD-1, -200V, -0.56A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: HD-1. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 4. Markering van de fabrikant: IRFD9220PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, ITO-220AB, -100V, -11A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFI9540GPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 24 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Functie: td(on) 12ns, td(off) 28ns

P-kanaaltransistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 4.1A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Functie: td(on) 12ns, td(off) 34ns

P-kanaaltransistor, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (max): 1.5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 0.96A. Let op: b47kaa. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -60V, -0.18A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FE. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 270pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.69A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -100V, -1.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250mA. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID s (min): 25mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, -100V, -23A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP9140NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, -100V, -21A, 180W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Behuizing (JEDEC-standaard): 180W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP9140PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: complementaire transistor (paar) IRFP240. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247, -200V, -12A, 150W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Behuizing (JEDEC-standaard): 150W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP9240PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 71ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: IRFR5305. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS