FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 650pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 64A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 500uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9.6 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -5.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR9014PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 270pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR9024N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 38W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR9024N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 38W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -8.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR9024PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 570pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 5.6A. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET

P-kanaaltransistor, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR9120N. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. Behuizing (volgens datablad): D-PAK ( TO-252AA ). Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 340pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7.3 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR9220PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L5602S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V, -0.76A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 75pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 510pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 2.4A. ID s (min): 1uA. Let op: zeefdruk/SMD-code H. Markering op de kast: H. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.098 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 350 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 88pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -20V, -0.62A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 97pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.54W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 25uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 633pF. Kosten): 145pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. Binnendiameter (T=100°C): 2.2A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 588 ns. Td(aan): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -20V, -3.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 350 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 588 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 633pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23/6. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: 2E. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1079pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. C(inch): 2560pF. Kosten): 210pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 25 ns. Functie: C2-Class High Speed IGBT. Collectorstroom: 60A. Ic(puls): 33A. Let op: geïsoleerde behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 167W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 18 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

P-kanaaltransistor, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 12pF. Kosten): 2210pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 890W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 89 ns. Td(aan): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS