P-kanaaltransistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024

P-kanaaltransistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024. P-kanaaltransistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: FET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 13A. Binnendiameter (T=100°C): 1.1A. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 28/07/2025, 12:25.