FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -100V, -6.8A, 40W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Behuizing (JEDEC-standaard): 40W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9520. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F9520. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -100V, -6.8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9520PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 390pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 860pF. Kosten): 340pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 8.2A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 760pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 56A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, TO-220AB, -100V, -14A, 14A, -100V. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Maximale afvoerstroom: 14A. Afvoerbronspanning (Vds): -100V. Markering van de fabrikant: IRF9530. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 760pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 79W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1400pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 34 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 23A, -100V, TO-220AB <.45/32nsec. Maximale afvoerstroom: 23A. Afvoerbronspanning (Vds): -100V. Behuizing: TO-220AB <.45/32nsec. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -100V, -23A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9540. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 170pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 7A. Binnendiameter (T=100°C): 1A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -200V, -1.8A, 20W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Behuizing (JEDEC-standaard): 20W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9610PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 170pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 350pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 20 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -200V, -3.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9620PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 1

P-kanaaltransistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 700pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: P. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 6.5A, TO-220AB, -200V. Maximale afvoerstroom: 6.5A. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -200V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -200V, -6.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9630PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 74W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Vermogen: 125W. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, TO-220AB, -200V, -11A, 11A, -200V. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Maximale afvoerstroom: 11A. Afvoerbronspanning (Vds): -200V. Markering van de fabrikant: IRF9640PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.5 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: F9640S. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -2.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F9953. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 8.5A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, TO-220AB, -55V, -19A, 17A, -55V. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Maximale afvoerstroom: 17A. Afvoerbronspanning (Vds): -55V. Markering van de fabrikant: IRF9Z34NPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 620pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 68W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 56W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C