P-kanaaltransistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120

P-kanaaltransistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120. P-kanaaltransistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Behuizing: DIP. Behuizing (volgens datablad): DH-1 house, DIP-4. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 0.6A. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Origineel product van fabrikant International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 28/07/2025, 12:25.