FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID s (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (max): 5.3A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.055 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: V-MOS. Aantal per doos: 1

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI9953DY. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): PG-TO220-3. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. Binnendiameter (T=100°C): 6.2A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 48 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Functie: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 230pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: dv/dt gewaardeerd Verbeteringsmodus. G-S-bescherming: diode. Id(imp): 74.8A. Binnendiameter (T=100°C): 13.2A. ID s (min): 0.1uA. Markering op de kast: 18P06P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 81W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.102 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

P-kanaaltransistor, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 340pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 7.2A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 10P6F6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 64 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Lage poortlading STRipFET™ II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 80A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V. C(inch): 5500pF. Kosten): 1130pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 57A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -60V, -53A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SUP53P06-20. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 104W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -4.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 745pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 30A, TO-220AB, -100V. Maximale afvoerstroom: 30A. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -100V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.056 Ohms

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, -100V, -0.23A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZVP2110A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 100pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -60V, -0.09A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: ZVP3306F. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, -240V, -0.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.0V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C