FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Functie: 2xP-CH 20V. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7204. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 860pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 870pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 15A. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -12V, -6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7233. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -12V, -9.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7233. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -20V, -4.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7304. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 610pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -3.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7306. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7314. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 780pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--30Ap

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -3.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7316. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 710pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 6.4A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type transistor: PNP & PNP. Aantal per doos: 2. Functie: Dubbele P-kanaal Mosfet-transistor, Ultra-lage RDS-aan-weerstand

P-kanaaltransistor, SO, SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Kanaaltype: P. Equivalenten: IRF7342PBF. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--27Ap

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7342. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7342. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 25uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1700pF. Kosten): 890pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 59 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -10A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7416. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.04V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 59 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, -30V, -11A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7424. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.04V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4030pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 25uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 7980pF. Kosten): 1480pF. Kanaaltype: P. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.082 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 230 ns. Td(aan): 13 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.45V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. ID (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 1200pF. Kosten): 570pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 270ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 50M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 38 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: HEXFET. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 150uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits voor laptops. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.039 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 65 ns. Td(aan): 25 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Aantal per doos: 1. Technologie: HEXFET Vermogens-MOSFET-transistor. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Behuizing (JEDEC-standaard): 1. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF9510PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 43W. Td(aan): 10 ns. Technologie: V-MOS. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 500uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 390pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 98 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.8A. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 250uA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS