FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, -30V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J175. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Componentfamilie: P-kanaal JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Type transistor: JFET. ID s (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Aan-weerstand Rds Aan: 250 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: P-Channel Switch. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort/bronspanning (uit) max.: 4 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V. Aantal per doos: 1. Functie: VGS(off) 1V...4V

P-kanaaltransistor, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 5mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 5pF. Kanaaltype: P. Type transistor: JFET. ID s (min): 1mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 6E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: J-FET Ampl.. Poort-/bronspanning Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 9mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 5pF. Kanaaltype: P. Type transistor: JFET. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 61U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: J-FET Ampl.. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 61U. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (max): 60mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 11pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. ID s (min): 7mA. IGF: 50mA. Markering op de kast: 6W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort/bronspanning (uit) max.: 6V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk/SMD-code 6W. Conditioneringseenheid: 3000

P-kanaaltransistor, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 20mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 25V. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Type transistor: JFET. ID s (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Markering op de kast: 6Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 6Y. Conditioneringseenheid: 3000

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6Y. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Componentfamilie: P-kanaal JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 45pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -500V, -2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MTP2P50EG. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 24 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1183pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -30V, -50A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: M50P03HDLG. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 117 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220AB, -20V, -24A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDP6020P. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -0.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1590pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (max): 200uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 79pF. Kosten): 10pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 610. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10 ns. Td(aan): 2.5 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk/SMD-code 610. Functie: Spanningsgestuurde P-kanaal kleine signaalschakelaar, celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS (AAN). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SSOT. Behuizing (volgens datablad): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 195pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 10A. ID s (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 8 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDS352APRL. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 135pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 2.3A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.3A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Functie: Dubbel 60V P & P-kanaal. Id(imp): 10A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Aantal per doos: 2. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -30V, -5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDT452AP. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDT456P. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 20P06LG. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1190pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: NT2955. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 26 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NT2955G. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 750pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 55W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 50us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: NT2955. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Functie: ID pulse 36A/10ms. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, SO, SOP-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SOP-8. Functie: 27.5 & 34m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal per doos: 2

P-kanaaltransistor, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 690pF. Kosten): 310pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Verbetering van logisch niveau. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19.8 ns. Td(aan): 6.7 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 50V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 125us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: D8P05. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, TO-220FP, TO-220F, 630V. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 630V. C(inch): 1250pF. Kosten): 40pF. Kanaaltype: P. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 20 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS