IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF. C(inch): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 34-51 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Binnendiameter (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRLR3110ZPbF. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 21:25.