Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL3705N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 37 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 170W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3600pF

C(inch): 5890pF. Kosten): 3130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: zeer lage Rds. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zeer lage Rds-on-weerstand. Binnendiameter (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. Technologie: SMPS MOSFET. Spanning Vds(max): 30 v. Let op: UltraLow Gate

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3713S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5890pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 170W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 470A. Binnendiameter (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 140A. Vermogen: 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 30V

C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 470A. Binnendiameter (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3803S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/7. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 7. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 67 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 222 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 19680pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 416W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Technologie: V-MOS TO220A. Spanning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L520N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 7.2 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Power MOSFET-transistor, logisch niveaugestuurd. Spec info: Poortbesturing op logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL530NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 79W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L530NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL540N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Behuizing (JEDEC-standaard): 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1800pF. Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L540NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L5602S. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220A. Spanning Vds(max): 200V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 69W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220A. Spanning Vds(max): 200V

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 9A. Vermogen: 74W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 200V

C(inch): 1800pF. Kosten): 480pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 310 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-220. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMD-220. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L640S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C