IRLR2705

IRLR2705. C(inch): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 75. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Spec info: lage weerstand R-aan 0,040 Ohm. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.