Transistoren

C(inch): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR9120N. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 340pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7.3 ns. Td(aan): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing (volgens datablad): D-PAK ( TO-252AA ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Functie: dynamische dv/dt-verhouding, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR9220PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFRC20PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 137 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 6.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.34 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Functie: Lage poortlading (typisch 22nC), lage Crss

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5.8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.45 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V

C(inch): 1500pF. Kosten): 178pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 1000uA. ID s (min): 250uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: I-PAK. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFU024NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 17A. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 100V

C(inch): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 8.2 ns. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor van de derde generatie. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFU420PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 33 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 360pF

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFU4620PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1710pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 144W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ24NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZ24NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 700pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 57 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 31 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ34NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C