N-kanaaltransistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V - IRFS740

N-kanaaltransistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V - IRFS740. N-kanaaltransistor, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 1000uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 1500pF. Kosten): 178pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 40A. ID s (min): 250uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant Samsung. Aantal op voorraad bijgewerkt op 25/07/2025, 10:25.