Transistoren

C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR024N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR024N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 45W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 180pF. Kosten): 80pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 17A. Binnendiameter (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR110PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.9ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 180pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1300pF. Kosten): 410pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 65 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 47 ns. Td(aan): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+155°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR1205. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7.3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR1205N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 48W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR220N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 43W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (max): 3.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.8 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 400V

C(inch): 2030pF. Kosten): 470pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 280A. Binnendiameter (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 43 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Functie: Ultra lage weerstand, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2330pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (max): 150uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Functie: Ultralage weerstand, ultralage poortimpedantie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 640pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 60A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 79W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.115 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 37 ns. Td(aan): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 27A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 68W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 55V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 71ms. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 110A. Binnendiameter (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: IRFR5305. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 110W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 650pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 64A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Equivalenten: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: FET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 9.6 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR9014PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 270pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.175 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR9024N. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 38W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FR9024N. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 350pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 38W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFR9024PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 570pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 5.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252AA. Spanning Vds(max): 100V