Transistoren

C(inch): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63us. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0175 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 44 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ44NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 160A. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 94W. Aan-weerstand Rds Aan: 17.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 44 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZ44NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1470pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 94W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1812pF. Kosten): 393pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Aan-weerstand Rds Aan: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 55A. Vermogen: 115W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 60V

C(inch): 1696pF. Kosten): 407pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 107W. Aan-weerstand Rds Aan: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1696pF. Kosten): 407pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 67 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-262 ( I2-PAK ). Behuizing (volgens datablad): TO-262. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFZ46NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1696pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1970pF. Kosten): 470pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 68 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Binnendiameter (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 34 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Markering van de fabrikant: IRFZ48NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1970pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 64A. Vermogen: 130W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 55V

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC20FD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 16A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 43 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 240 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Maximale collectorstroom (A): 64A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC20KD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 16A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 54 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 180 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 54 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220 ( AB ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.27V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Maximale collectorstroom (A): 32A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC20S. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 19A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 27 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 540 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Maximale collectorstroom (A): 38A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC20S. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 10A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 27 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 540 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Maximale collectorstroom (A): 38A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC20UD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 13A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 39 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 93 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Maximale collectorstroom (A): 52A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC20U. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 13A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 21 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 86 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Maximale collectorstroom (A): 52A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC30FD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 31A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 42 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 230 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Maximale collectorstroom (A): 60.4k Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC30KD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 28A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 160 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Maximale collectorstroom (A): 56A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC30S. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 34A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 540 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Maximale collectorstroom (A): 68A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Functie: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 175 ns. Td(aan): 27 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220 ( AB ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.59V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1100pF. Kosten): 73pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 42 ns. Functie: UltraFast CoPack IGBT. Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Markering op de kast: IRG4BC30UD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 91 ns. Td(aan): 40 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220 ( AB ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC30UD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 23A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 91 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Maximale collectorstroom (A): 92A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4BC30U. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 23A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 91 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Maximale collectorstroom (A): 92A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 980pF. Kosten): 71pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Functie: vermogens-MOSFET-transistor tot 150 kHz. Collectorstroom: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Markering op de kast: IRG 4BC30W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 99 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS