Transistoren

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 520A. Binnendiameter (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 130A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 520W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V

C(inch): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. Binnendiameter (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (max): 72A. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Td(uit): 41 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V. Let op: Hoge frequentie. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-247AC. Markering van de fabrikant: IRFP4710PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 35 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 72A. Vermogen: 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 100V

C(inch): 1070pF. Kosten): 6040pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogfrequente DC-DC-conversie. Id(imp): 380A. Binnendiameter (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 580W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP90N20DPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 580W. Behuizing (JEDEC-standaard): 580W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 76A. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250mA. ID s (min): 25mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 140W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 51 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP9140NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP9140PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Behuizing (JEDEC-standaard): 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: complementaire transistor (paar) IRFP240. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP9240PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Behuizing (JEDEC-standaard): 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 2700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 88 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2100pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 44A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA-. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 33 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPC50PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 88 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3900pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1900pF. Kosten): 470pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 22A. Binnendiameter (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: snel schakelen, ORION TV. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPE40PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3100pF. Kosten): 800pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 31A. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 7.8A. Vermogen: 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-247AC HV. Afvoerbronspanning (Vds): 800V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: <63/214ns. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 4.7A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS L. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 900V

C(inch): 2900pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPF50PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 2800pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 6.1A. Vermogen: 190W. Behuizing: TO-247AC. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Afvoerbronspanning (Vds): 1000V

C(inch): 5579pF. Kosten): 810pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 144A. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: Power MOSFET. Behuizing: 17.4k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SUPER247. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 17.4k Ohms. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFPS37N50APBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5580pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 446W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C