IRFZ24N

IRFZ24N. C(inch): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 68A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 19 ns. Td(aan): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 16:25.