IRFR9120N

IRFR9120N. C(inch): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 26A. Binnendiameter (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 28 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 05:25.