IRF840AS

IRF840AS. C(inch): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 422 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 26 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/01/2025, 19:25.