Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7313. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7313. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7314. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 780pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--30Ap

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7316. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 710pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 780pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N-P. Trr-diode (min.): 47 ns. Functie: 0.029R & 0.58R. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7317. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12/22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 57/63 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 900/780pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Markering op de kast: F7319. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Let op: ( = P23AF 4532 SMD ). Let op: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 6.4A. ID (T=25°C): 8A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Type transistor: PNP & PNP. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2. Functie: Dubbele P-kanaal Mosfet-transistor, Ultra-lage RDS-aan-weerstand

Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Conditioneringseenheid: 95. Functie: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Kanaaltype: P. Equivalenten: IRF7342PBF. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--27Ap

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7342. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7342. Afvoerbronspanning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7343. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12/22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 740/690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7343. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12/22 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 740/690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7389. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 26/34 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650/710pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: MOSFET-transistor met snel schakelvermogen. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 400V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF740LC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1100pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF740PBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 10A. Vermogen: 125W. Behuizing: TO-220. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afvoerbronspanning (Vds): 400V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRF740SPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1600pF. Kosten): 680pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 74 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 58A. Binnendiameter (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 25uA. ID s (min): 12uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 52 ns. Td(aan): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: F7413. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C