IRF9520N

IRF9520N. C(inch): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 27A. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.